[发明专利]肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管在审
| 申请号： | 201610475075.4 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107546124A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李理;赵圣哲;马万里;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管的制备方法和肖特基二极管，其中，制备方法包括在N型衬底上依次形成N型外延层和第一介质层；依次对第一介质层和N型外延层进行刻蚀，以分别形成N型外延层上的介质层台阶和N型外延层的沟槽；以介质层台阶为掩膜对N型外延层进行刻蚀，以在沟槽的边缘形成N型外延层台阶，进而形成台阶形沟槽；在台阶形沟槽内形成第二介质层；在形成第二介质层的台阶形沟槽内填充本征硅结构；在完成本征硅结构的填充后，形成金属电极。通过本发明技术方案，减小了导通过程中器件内部的电场强度，尤其是最大电场强度值显著减小，进而有效地减小器件的肖特基势垒降低效应，从而降低了反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层和第一介质层；依次对所述第一介质层和所述N型外延层进行刻蚀，以分别形成所述N型外延层上的介质层台阶和所述N型外延层的沟槽；以所述介质层台阶为掩膜对所述N型外延层进行刻蚀，以在所述沟槽的边缘形成N型外延层台阶，进而形成台阶形沟槽；在所述台阶形沟槽内形成第二介质层；在形成所述第二介质层的台阶形沟槽内填充本征硅结构；在完成所述本征硅结构的填充后，形成金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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