[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610458899.0 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN106409959A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 闫丽;张闻斌;王琪;顾凯;陆军威 申请(专利权)人: 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 唐清凯
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及太阳能电池领域,具体公开了一种异质结太阳能电池,其包括晶体硅片;依次位于晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、及正面栅线电极;以及位于晶体硅片的另一侧的背面电极;正面栅线电极为铜纳米线电极。上述异质结太阳能电池,由于未采用银栅线电极,从而解决了银栅线电极所带的问题。另外,铜纳米线电极有利于降低材料成本且导电性能满足要求。铜纳米线电极具有一定的透光性,增强进入硅的光照量。铜纳米线电极基本没有栅线展宽的问题,降低了栅线遮挡面积,进一步增强进入硅层的光照量。还有铜纳米线电极柔韧性好,利于异质结太阳能电池柔性化发展。本发明还公开了一种异质结太阳能电池的制备方法。
搜索关键词: 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶体硅片;依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层、及正面栅线电极;以及位于所述晶体硅片的另一侧的背面电极;所述正面栅线电极为铜纳米线电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司,未经苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610458899.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top