[发明专利]外延层的制作方法有效
| 申请号： | 201610452293.6 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527815B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李一凡;冯立伟;许力介;陈俊仁;胡益诚;吴典逸;林钰书;杨能辉 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
一种外延层的制作方法，包含：提供一硅基底，一介电层覆盖该硅基底；形成一凹槽于该硅基底和该介电层内；进行一选择性外延成长步骤以形成一第一外延层于该凹槽内，其中该第一外延层不覆盖该介电层的一上表面；进行一非选择性外延成长步骤以形成一第二外延层于该凹槽内，并且该第二外延层覆盖该介电层的该上表面，其中该凹槽由该第一外延层和该第二外延层共同填满；以及平坦化该第二外延层，使得该第二外延层和该介电层切齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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