[发明专利]铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610406571.4 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106086768B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄垒;施利毅;张登松;郑敏芳;张剑平;李红蕊 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C8/12 | 分类号： | C23C8/12;C23C18/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料，还公开一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法，其步骤：(1).将铜基底放入乙醇中超声清洗10min，然后用浓度为0.1～0.3mol/L的稀盐酸超声清洗10～20min，再分别用去离子水、乙醇冲洗，然后烘干；(2).将清洗好的铜基底放入管式炉中退火处理，以升温速率为2～10℃/min，从室温升到350～550℃，保温2～10h，退火处理后，管式炉温度降至室温后将样品取出，得到长有氧化铜纳米棒阵列的样品；(3).将得到的样品浸泡在浓度为22.0～22.9%的高锰酸钾和六水合硝酸钴的混合溶液中，浸泡时间为10min～5 h，得到铜基底负载纳米结构钴锰复合氧化物材料。该材料组分和结构独特能够充分结合金属铜基底，该方法具有工艺简单、操作简便、对环境友好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 负载 纳米 结构 铜钴锰 复合 氧化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将铜基底放入乙醇中超声清洗10min，然后用浓度为0.1 ～ 0.3mol/L的稀盐酸超声清洗10 ～ 20min ，再分别用去离子水、乙醇冲洗干净，然后烘干；(2)将清洗好的铜基底放入管式炉中进行退火处理，以升温速率为2 ～10 ℃/min，从室温升温到350 ～550 ℃，保温2 ～10h，退火处理后，管式炉温度降至室温后将样品取出，得到长有氧化铜纳米线的样品；(3)将长有氧化铜纳米线的样品浸泡在高锰酸钾和六水合硝酸钴的混合溶液中，浸泡时间为10min ～5 h ，得到铜基底负载纳米结构铜钴锰复合氧化物材料。
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- 一种钛及钛合金表面渗氧方法，包括下述工艺步骤：（1）将钛和钛合金放在电炉内，在750-900℃温度下对钛和钛合金进行热处理3-20小时；（2）将经步骤（1）处理的钛或钛合金取出，迅速放入冷水中，进行淬火处理，获得具有黑色渗氧层的钛或钛合金，即得。本发明所具有的效果：本发明的效果和益处有：（1）能够获得高硬度的渗氧改性层，最高表面硬度可达800Hv以上，解决钛及钛合金表面硬度低、耐磨性不足的缺陷。（2）本方法获得的渗氧层表面残存有微薄的一层黑色钛合金氧化物，可满足军事及光学仪器消光的要求。（3）本方法工艺简单，无需专业人员。（4）成本低廉，采用空气最为渗氧剂，水为淬火介质，无需额外的材料。
- 室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法-201310578315.X
- 郑直;魏杰;雷岩;贾会敏;王捷;葛素香 - 许昌学院
- 2013-11-15 - 2014-02-26 - C23C8/12
- 本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O3反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得AgxO（AgO或Ag2O）半导体薄膜材料，所述的UV-O3反应器即UV-O3清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
- 一种杜美丝生产系统-201210279261.2
- 樊伟;常建艮;陆余圣 - 樊伟
- 2012-08-08 - 2014-02-12 - C23C8/12
- 本发明公开了一种杜美丝生产系统，包括送丝装置、微波烧结炉、微波氧化炉、过丝装置和收丝装置，送丝装置依次送丝连接微波氧化炉和微波烧结炉，微波烧结炉收丝连接收丝装置；所述微波烧结炉和微波氧化炉的微波发生器均由过丝装置上过丝状态控制呈启闭状态。通过控制杜美丝材料送丝速度、加热温度、氧化温度确保无CuO、高纯度、纳米级Cu2O的快速生成，配合压丝装置实现空载停机保护，实现全程数字化控制，具有结构简单、性能可靠、操作方便，能源利用率高，使用成本低等优点，该系统制备的杜美丝材料外层无CuO生成，在后续铂玻璃熔封时无色差、无气泡，质量性能高。
- 一种钛基板栅的制备方法-201210206922.9
- 张浩;黄一兵;曹高萍;徐斌;王惠平;杨裕生 - 中国人民解放军63971部队;永兴惠友新材料技术有限公司
- 2012-06-21 - 2014-01-15 - C23C8/12
- 本发明为一种钛基板栅的制备方法，钛基板栅表面包覆一层亚氧化钛膜，亚氧化钛膜通过先氧化再还原的工艺制成。该钛基板栅质量轻、导电性好，可用于叠层式或卷绕式铅蓄电池。该钛基板栅可使得电极板具有优良的脉冲响应性能，能提高铅蓄电池的功率密度、能量密度和循环使用寿命，应用于电动车、电动工具、脉冲发射等领域的铅蓄电池。
- 一种钛合金的渗碳方法-201310374689.X
- 庄红芳 - 江苏启迪合金有限公司
- 2013-08-26 - 2013-12-11 - C23C8/12
- 一种钛合金渗氧方法，以重量百分比计，包括以下步骤：其特征在于：1）配比；2）将焙烧好的含氧化钛炭阳极安装在铝电解槽上，直接进行电解生产钛合金；3）在700～850℃的温度下，保温2～14小时，然后通过加工方法，去掉钛合金表面的氧化膜。本发明，对钛合金进行α硬化处理，其表面显微硬度HV≥500kg/mm2，α硬化层深度d＝0.035～0.100mm，提高相对耐磨性达100倍，有效地提高了钛合金件的使用寿命。装饰性和美观性好、不易产生损伤和凹痕、并且机械加工性好、特别适合用于作为各种装饰用品的材料的高强度钛合金。
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