[发明专利]掩模板和基板间隔柱及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201610405123.2 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN105824189B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 肖宇;汪栋;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F7/20 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种掩模板和基板间隔柱及其制备方法、显示面板。在该掩模板中,形成有至少一个曝光区,该至少一个曝光区包括中心区域和外围区域,其中,该中心区域的透光率大于该外围区域的透光率,从而实现了透过整个曝光区的光强度分布均一,消除了经由其制备的基板间隔柱顶部的火山口形貌,减轻甚至避免了显示面板对外界压力变化比较敏感的Touch Mura等不良,提高了显示面板的画面品质。 | ||
搜索关键词: | 模板 间隔 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,其特征在于,在所述掩模板上,形成有至少一个曝光区,所述至少一个曝光区包括中心区域和外围区域,/n其中,所述曝光区的至少一部分覆盖有光学半透层,沿曝光区中心至曝光区边沿的方向,所述光学半透层的厚度逐渐增加,使得所述中心区域的透光率大于所述外围区域的透光率。/n
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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