[发明专利]晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610404786.2 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107482003B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 沈景龙;张楠;曲世军;陈春鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法。本发明提供的晶体管的版图结构，包括衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区。由此获得的晶体管中，衬底为第一掺杂类型，形成在所述衬底中的第二掺杂类型的源极区，位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区，且第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。本发明能够有效解决现有技术中发生闩锁效应的状况，有助于提高产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 版图 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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