[发明专利]晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法

说明书

本发明揭示了一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法。本发明提供的晶体管的版图结构，包括衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区。由此获得的晶体管中，衬底为第一掺杂类型，形成在所述衬底中的第二掺杂类型的源极区，位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区，且第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。本发明能够有效解决现有技术中发生闩锁效应的状况，有助于提高产品的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法。

背景技术

随着半导体器件制造技术的飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构，集成电路中包含巨大数量的半导体元件。这就要求在设计晶体管的版图时，在不影响晶体管性能的前提下，要尽量减小晶体管的占用尺寸，以提高半导体器件的集成度。

而目前的诸多集成电路中晶体管所占尺寸依然较大。例如，图1示出了现有技术中在DCDC(直流变换)电路中输出端的晶体管的版图结构，包括有源区1，所述有源区1包括源极区2和漏极区3，在有源区上源极区2和漏极区3中间形成有栅极区4。考虑到在DCDC(直流变换)电路中，其输出端的晶体管由于具有比较大的功率，具体体现在版图设计上就是所占面积大，这样就很容易引发闩锁效应(latch up)。

因此，如何预防闩锁效应，并尽可能的减小晶体管所占用的尺寸，成为了目前的一个挑战。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，解决现有技术中易出现闩锁效应的问题。

本发明的另一个目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，优化晶体管所占用的尺寸。

本发明的另一个目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，改善沟道中发生局部击穿的现象。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述掺杂区的形状呈方形。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区的形状呈八边形。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区的形状呈圆形。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，还包括有源区，所述源极区位于所述有源区中，所述有源区还包括漏极区；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极区。

可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。

相应的，本发明提供一种晶体管，包括：

第一掺杂类型的衬底；

位于所述衬底中的第二掺杂类型的源极区；

位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。

可选的，对于所述的晶体管，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂。

可选的，对于所述的晶体管，所述第一掺杂类型为N型掺杂，所述第二掺杂类型为P型掺杂。

可选的，对于所述的晶体管，所述掺杂区的俯视形状呈方形。

可选的，对于所述的晶体管，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。