[发明专利]晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区、漏极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同，所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。

2.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述掺杂区的形状呈方形。

3.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。

4.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述源极区的形状呈八边形或圆形。

5.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，还包括有源区，所述源极区和所述漏极区位于所述有源区中；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极区。

6.一种晶体管，包括：

第一掺杂类型的衬底；

位于所述衬底中的第二掺杂类型的源极区，漏极区；

位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；

所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。

7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂。

8.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型掺杂，所述第二掺杂类型为P型掺杂。

9.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述掺杂区的俯视形状呈方形。

10.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。

11.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述源极区的俯视形状呈八边形或圆形。

12.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述衬底还包括有源区，所述源极区和所述漏极区位于所述有源区中；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极结构。

13.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述源接触区及漏接触区的材质为钨。

14.如权利要求6-13中任意一项所述的晶体管的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底具有第一掺杂类型；

在所述衬底中形成源极区和漏极区，所述源极区具有第二掺杂类型；

在所述源极区中形成一掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；

在所述源极区上方形成源接触区，在所述漏极区上形成漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。