[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一阱区，以及位于所述第一阱区中具有第二阱区和第三阱区；在所述第二阱区中形成有源极和漏极；在所述源漏极之间的半导体衬底上形成有选择栅、浮栅；所述选择栅和浮栅之间的所述第二阱区中形成有源漏结，所述漏极位于所述选择栅远离所述浮栅的一侧，所述源极位于所述浮栅远离所述选择栅的一侧，在所述浮栅上还形成有栅极介电层和控制栅。该半导体器件及其制作方法通过在第一阱区中增加了一个额外的与上述第二阱区导电类型相反的第三阱区，从而降低沟道掺杂浓度，进而改善结的源漏击穿电压(BVDSS)，改善耐久性。该电子装置具有类似优点。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有具有第一深度的第一阱区，以及位于所述第一阱区中具有第二深度的第二阱区和具有第三深度的第三阱区；在所述第二阱区中形成有源极和漏极；在所述源漏极之间的半导体衬底上形成有选择栅、浮栅；所述选择栅和浮栅之间的所述第二阱区中形成有源漏结，所述漏极位于所述选择栅远离所述浮栅的一侧，所述源极位于所述浮栅远离所述选择栅的一侧，在所述浮栅上还形成有栅极介电层和控制栅，其中，所述第一深度大于所述第二深度，所述第三深度大于所述第二深度且小于所述第一深度，所述第一阱区和所述第二阱区导电类型相同，所述第三阱区与所述第二阱区导电类型相反。