[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储器件区域和外围器件区域，所述存储器件区域和外围器件区域由隔离结构隔离，在半导体衬底上形成有栅极材料层；在栅极材料层上形成流动性氧化物层，流动性氧化物层具有平整的表面；在流动性氧化物层上形成控制栅硬掩膜层；图形化控制栅硬掩膜层；在所述控制栅硬掩膜层上形成图形化的栅极硬掩膜层；以所述图形化的控制栅硬掩膜层和栅极硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以在存储器件区域形成控制栅，在所述外围器件区域形成栅极。该制作方法可以克服由STI台阶高度引起的栅极缺陷。该半导体器件和电子装置具有缺陷较少，性能较高的优点。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储器件区域和外围器件区域，所述存储器件区域和外围器件区域由隔离结构隔离，在所述半导体衬底上形成有栅极材料层；在所述栅极材料层上形成流动性氧化物层，所述流动性氧化物层具有平整的表面；在所述流动性氧化物层上形成控制栅硬掩膜层；图形化所述控制栅硬掩膜层，所述图形化后的控制栅硬掩膜层具有位于所述存储器件区域的控制栅图案；在所述控制栅硬掩膜层上形成图形化的栅极硬掩膜层，所述图形化的栅极硬掩膜层具有位于外围器件区域的栅极图案；以所述图形化的控制栅硬掩膜层和栅极硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以在所述存储器件区域形成控制栅，在所述外围器件区域形成栅极。