[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，为实现阵列基板的窄沟道设计而发明。所述TFT阵列基板包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，具体而言，在所述源极的上方形成有绝缘层，所述绝缘层中制作有漏极沟槽，所述漏极位于所述漏极沟槽中并通过有源层与所述源极相连。本发明提供的TFT阵列基板用于制作显示装置。

主权项

1.一种TFT阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，在所述源极的上方形成有绝缘层，所述绝缘层中制作有漏极沟槽，所述漏极位于所述漏极沟槽中并通过有源层与所述源极相连；所述TFT阵列基板上还设有公共电极线，所述公共电极线的上方设有公共电极绝缘层，所述公共电极绝缘层中制作有公共电极过孔，所述公共电极过孔中填充有漏极材料；在所述漏极材料上方直接形成过孔连接线，所述过孔连接线连接不同的公共电极过孔；所述公共电极过孔与所述漏极沟槽在同一次构图工艺中形成，所述漏极材料与所述漏极在同一次构图工艺中形成，所述像素电极与所述过孔连接线在一次构图工艺中形成。