[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610379186.5 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107452792A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括提供衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底、在所述半导体衬底上的半导体鳍片、在半导体鳍片两侧的隔离区、在半导体鳍片位于隔离区以上的表面上的栅极电介质层；在所述栅极电介质层的一部分上的栅极；对所述半导体鳍片未被栅极覆盖的部分进行阈值电压调整离子注入，以使得注入的杂质扩散到所述半导体鳍片被栅极覆盖的部分。本发明可以降低阈值电压调整离子注入所注入杂质的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：半导体衬底、在所述半导体衬底上的半导体鳍片、在半导体鳍片两侧的隔离区、在半导体鳍片位于隔离区以上的表面上的栅极电介质层；在所述栅极电介质层的一部分上的栅极；对所述半导体鳍片未被栅极覆盖的部分进行阈值电压调整离子注入，以使得注入的杂质扩散到所述半导体鳍片被栅极覆盖的部分。
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