[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层为InGaN层，量子垒层为插入有InGaN层的GaN层，量子垒层中的InGaN层的In组分含量低于量子阱层中的InGaN层的In组分含量。本发明通过在GaN量子垒层中插入In组分含量低于InGaN量子阱层的InGaN层，提高载流子的注入效率，增加电子和空穴在量子阱中的有效复合，进而提高量子效率。

主权项

1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，其特征在于，所述量子垒层为插入有InGaN层的GaN层，所述量子垒层中的InGaN层的In组分含量低于所述量子阱层中的InGaN层的In组分含量。