[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610339980.7 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106169455A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朴正镒;安正勋;金田中;朴哲镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括基板、多个第一接触插塞、第一通路和电源轨。基板可以包括第一单元区域和第二单元区域以及电源轨区域。第一单元区域和第二单元区域可以设置在第二方向上，并且电源轨区域可以设置在第一单元区域和第二单元区域之间。该多个第一接触插塞可以形成在基板的电源轨区域上，并可以在交叉第二方向的第一方向上彼此间隔开第一距离。第一通路可以共同地接触该多个第一接触插塞的顶表面。电源轨可以形成在第一通路上。电源轨可以通过第一通路和第一接触插塞向第一单元区域和第二单元区域提供电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括第一单元区域和第二单元区域以及电源轨区域，所述第一单元区域和所述第二单元区域设置在第二方向上，并且所述电源轨区域设置在所述第一单元区域和所述第二单元区域之间；多个第一接触插塞，在所述基板的所述电源轨区域上，所述多个第一接触插塞在第一方向上彼此间隔开第一距离，所述第一方向交叉所述第二方向；第一通路，共同地接触所述多个第一接触插塞的顶表面；以及在所述第一通路上的电源轨，其中所述电源轨通过所述第一通路和所述第一接触插塞向所述第一单元区域和所述第二单元区域提供电压。
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