[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置及其制造方法。使用比通常的旋转刀(24)厚的旋转刀(21)，在QFN基板(1)所具有的引线框架(2)的连接条处切削总厚度中的规定的厚度部分来形成切削槽(22)。接着，通过电镀处理在引线框架(2)的底面和切削槽(22)的表面形成镀层(23)。接着，使用具有通常的厚度的旋转刀(24)将切削槽(22)处的引线框架(2)的剩余的厚度部分和密封树脂(8)的总厚度部分统一进行切削。分为2个阶段对QFN基板(1)进行切削，以将连接条全部去除，由此制造QFN产品(26)。在QFN产品(26)中，能够在引线(5)的底面和形成于引线(5)的侧面的凹部(27)的表面稳定地形成镀层(23)。

主权项

一种半导体装置，具备芯片焊盘、配置于所述芯片焊盘的周围且与所述芯片焊盘相离的多个引线以及安装于所述芯片焊盘的顶面的功能元件，至少所述芯片焊盘、所述多个引线以及所述功能元件被密封树脂进行树脂密封，该半导体装置具备：凹部，其从所述芯片焊盘的底面一侧形成，形成于所述多个引线的侧面的厚度方向上的一部分；以及镀层，其形成于所述芯片焊盘的底面、所述多个引线的底面以及所述凹部中的所述多个引线的表面，其中，所述多个引线的侧面中的所述厚度方向上的剩余部分的侧面与所述密封树脂的侧面存在于同一面。