[发明专利]一种复合薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)在基底表面制备金属催化剂薄膜，将表面制备有金属催化剂薄膜的基底再置于PECVD设备的反应腔体中，将所述反应腔体加热，通入载气与碳源气体，接通电源，反应后得到阵列碳纳米管薄膜；B)关闭电源，停止通入碳源气体，向所述反应腔体中继续通入载气，接通电源对碳纳米管薄膜进行刻蚀后关闭电源；C)将所述反应腔体冷却，通入反应气体后接通电源，反应后得到复合薄膜。本发明提供了一种原位复合薄膜的制备方法。该方法利用等离子体增强化学气相沉积方法在基底上制备阵列的碳纳米管薄膜，在此基础上继续制备所需要的薄膜，通过控制工艺，实现基体薄膜与碳纳米管的复合。

主权项

1.一种复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)，将表面制备有金属催化剂薄膜的基底置于PECVD设备的反应腔体中，将所述反应腔体加热至温度超过450℃，通入载气，继续加热所述反应腔体至500～600℃，再通入碳源气体，接通电源，反应后得到碳纳米管薄膜；所述碳纳米管薄膜的厚度为1～20μm；B)，关闭电源，停止通入碳源气体，向所述反应腔体中继续通入载气，接通电源对碳纳米管薄膜进行刻蚀后关闭电源；C)，将所述反应腔体冷却，通入反应气体后接通电源，反应后得到复合薄膜；步骤A)中，所述载气为氢气与氩气，所述氩气的流量为20～60sccm，所述氢气的流量为15～30sccm；步骤A)中，所述电源的功率为10W～200W，所述金属催化剂薄膜的厚度为1～50nm；步骤B)中，所述电源功率为200～500W，所述刻蚀的时间为1～5min。