[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置有效
| 申请号： | 201610323569.0 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762196B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置，用以解决现有技术的薄膜晶体管中，沟道长度较长限制高分辨率显示面板的应用的问题。该薄膜晶体管包括：一端设置有能够导电的掺杂区域的有源层；分别设置在有源层远离掺杂区域一端的下方和上方的源极和漏极；分别设置在有源层的下方和上方、且与有源层相绝缘的第一栅极和第二栅极。本发明实施例中的薄膜晶体管包括两个分别分布在有源层的上下两面的栅极，由于沟道的形成仅在有源层表面，在工作中可使有源层在上下两面上形成上下两层沟道，并通过有源层一端的能够导电的掺杂区域连接上下两个沟道，其沟道长度为上下表面沟道长度之和，在与现有结构相同的沟道长度要求时更节省所占面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 相应 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一端设置有能够导电的掺杂区域的有源层；分别设置在所述有源层远离所述掺杂区域一端的下方和上方的源极和漏极；分别设置在所述有源层的下方和上方、且与所述有源层相绝缘的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极形成在所述源极和所述掺杂区域之间，所述第二栅极形成在所述漏极和所述掺杂区域之间。
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