[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置，用以解决现有技术的薄膜晶体管中，沟道长度较长限制高分辨率显示面板的应用的问题。该薄膜晶体管包括：一端设置有能够导电的掺杂区域的有源层；分别设置在有源层远离掺杂区域一端的下方和上方的源极和漏极；分别设置在有源层的下方和上方、且与有源层相绝缘的第一栅极和第二栅极。本发明实施例中的薄膜晶体管包括两个分别分布在有源层的上下两面的栅极，由于沟道的形成仅在有源层表面，在工作中可使有源层在上下两面上形成上下两层沟道，并通过有源层一端的能够导电的掺杂区域连接上下两个沟道，其沟道长度为上下表面沟道长度之和，在与现有结构相同的沟道长度要求时更节省所占面积。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置。

背景技术

目前，相比于非晶硅阵列基板，低温多晶硅阵列基板拥有高迁移率(可以达非晶硅阵列基板迁移率的数百倍)的优点，其薄膜晶体管尺寸可以做得很小，并且反应速度快，是近年来越来越被看好的一种显示面板的阵列基板，在高分辨率、高画质的有机电致发光显示和液晶显示面板上被越来越多的采用。但其构成一般较为复杂，工艺过程繁多，特别是在针对高分辨率的显示面板中，需要多个很小尺寸的薄膜晶体管，对薄膜晶体管阵列基板的工艺实现、电学性能、可靠性的要求更高。特别是现有技术的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板应用于有机电致发光二极管显示技术中时，其驱动薄膜晶体管一般需要较长的沟道，从而会占用较大的基板面积，对高分辨的设计是一个限制。

综上所述，现有技术的薄膜晶体管中，沟道长度较长限制高分辨率显示面板的应用。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置，用以解决技术的薄膜晶体管中，沟道长度较长限制高分辨率显示面板的应用的问题。

基于上述问题，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：一端设置有能够导电的掺杂区域的有源层；分别设置在所述有源层远离所述掺杂区域一端的下方和上方的源极和漏极；分别设置在所述有源层的下方和上方、且与所述有源层相绝缘的第一栅极和第二栅极。

本发明实施例中的薄膜晶体管包括两个分别分布在有源层的上下两面的栅极，由于沟道的形成仅在有源层表面，在工作中可使有源层在上下两面上形成上下两层沟道，并通过有源层一端的能够导电的掺杂区域连接上下两个沟道，其沟道长度为上下表面沟道长度之和，沟道的总长度可达现有结构的至少2倍或以上，在与现有结构相同的沟道长度要求时更节省所占面积。

较佳的，所述源极和所述漏极与所述第一栅极在垂直方向的投影无交叠区域；以及，

所述源极和所述漏极与所述第二栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

较佳的，所述第一栅极和所述第二栅极与所述掺杂区域在垂直方向的投影无交叠区域。

较佳的，所述有源层的厚度为100埃-3000埃。

较佳的，所述有源层的厚度为500埃-1000埃。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板，该阵列基板包括本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。

较佳的，所述漏极作为像素电极。

较佳的，还包括：

设置在所述第一栅极和所述有源层之间的第一栅绝缘层，以及设置在所述第二栅极和所述有源层之间的第二栅绝缘层，其中所述源极位于所述有源层和所述第一栅绝缘层之间。

较佳的，还包括：

设置在所述有源层和所述源极之间的第一掺杂层；

设置在所述有源层和所述第二栅绝缘层之间的第二掺杂层，所述第二掺杂层通过所述第二栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。