[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法及相应装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一端设置有能够导电的掺杂区域的有源层；分别设置在所述有源层远离所述掺杂区域一端的下方和上方的源极和漏极；分别设置在所述有源层的下方和上方、且与所述有源层相绝缘的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极形成在所述源极和所述掺杂区域之间，所述第二栅极形成在所述漏极和所述掺杂区域之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述第一栅极在垂直方向的投影无交叠区域；以及，

所述源极和所述漏极与所述第二栅极在垂直方向的投影无交叠区域。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极与所述掺杂区域在垂直方向的投影无交叠区域。

4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为100埃-3000埃。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为500埃-1000埃。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极作为像素电极。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述第一栅极和所述有源层之间的第一栅绝缘层，以及设置在所述第二栅极和所述有源层之间的第二栅绝缘层，其中所述源极位于所述有源层和所述第一栅绝缘层之间。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述有源层和所述源极之间的第一掺杂层；

设置在所述有源层和所述第二栅绝缘层之间的第二掺杂层，所述第二掺杂层通过所述第二栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。

10.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括权利要求6-9中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

11.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括权利要求10所述的显示面板。

12.一种制作如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：

在载体上形成第一栅极；

形成源极；

沉积非晶硅并通过晶化方法转变为多晶硅，形成与所述第一栅极相绝缘的有源层；

沉积与所述有源层相绝缘的第二栅极；

在所述有源层的一端进行掺杂处理，形成一端为能够导电的掺杂区域的有源层；

在所述有源层远离所述掺杂区域一端的上方形成漏极；

所述有源层上靠近所述第一栅极的第一表面上形成第一沟道，以及所述有源层上靠近所述第二栅极的第二表面上形成第二沟道。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掺杂处理的方式包括但不仅限于以下几种工艺：

离子云注入工艺，离子注入工艺，或固态扩散式注入工艺。