[发明专利]液晶面板结构及制作方法

摘要

本发明提供一种液晶面板结构及制作方法，上基板的第一配向层与下基板的第二配向层均采用表面经过离子束轰击处理的氮化硅膜，相比于采用PI配向膜材，配向层具有更为稳定的物理、及化学性质，从而可以提供液晶面板更可靠的信赖性；另外氮化硅膜表面通过配合离子束轰击处理，对液晶分子提供的预倾角可在一定范围内进行调整，从而可以对液晶分子提供合适的预倾角，且与目前的PSVA技术相比，不需要UV光照来对液晶提供预倾角的过程，进而液晶层中不需要加入反应型单体，从而进一步提高了液晶面板的信赖性；再者，氮化硅的生长工艺，在TFT‑LCD制造业中，设备和工艺均相当成熟，从而大大缩减了制程成本和材料成本。

主权项

一种液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供第一衬底基板(11)，在所述第一衬底基板(11)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第一配向层(12)，得到上基板(10)；步骤2、提供第二衬底基板(21)，在所述第二衬底基板(21)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层(22)，得到下基板(20)；步骤3、在所述上基板(10)或下基板(20)的一侧上滴注包含液晶分子(31)的液晶材料，并使所述第一衬底基板(11)设有第一配向层(12)的一侧与第二衬底基板(21)设有第二配向层(22)的一侧相面对，将上基板(10)和下基板(20)进行真空对组贴合，形成上基板(10)和下基板(20)之间的液晶层(30)，得到液晶面板；所述第一、第二配向层(12、22)与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触，对其进行配向；所述步骤1和步骤2中，通过PECVD法沉积形成氮化硅膜的过程具体为，向PECVD反应室内通入硅烷、氨气、和氮气，在280～350℃的温度下通过反应形成氮化硅膜，其中，硅烷、氨气、和氮气的气体流量比为100:1:200，所形成的氮化硅膜的厚度为40～80nm；所述步骤1和步骤2中，对氮化硅膜表面进行离子束轰击处理的过程具体为，向离子束轰击反应器内通入氩气，形成氩等离子，在10‑4Torr的工作压力下由氩等离子构成的离子束按照与氮化硅膜表面为30～50°的角度对氮化硅膜表面进行轰击，其中，离子束轰击反应器内氩等离子的浓度为1014～1015离子/cm2。