[发明专利]液晶面板结构及制作方法

权利要求书

1.一种液晶面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供第一衬底基板(11)，在所述第一衬底基板(11)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第一配向层(12)，得到上基板(10)；

步骤2、提供第二衬底基板(21)，在所述第二衬底基板(21)的一侧通过PECVD法沉积一层氮化硅膜并对其表面进行离子束轰击处理，形成第二配向层(22)，得到下基板(20)；

步骤3、在所述上基板(10)或下基板(20)的一侧上滴注包含液晶分子(31)的液晶材料，并使所述第一衬底基板(11)设有第一配向层(12)的一侧与第二衬底基板(21)设有第二配向层(22)的一侧相面对，将上基板(10)和下基板(20)进行真空对组贴合，形成上基板(10)和下基板(20)之间的液晶层(30)，得到液晶面板；

所述第一、第二配向层(12、22)与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触，对其进行配向；

所述步骤1和步骤2中，通过PECVD法沉积形成氮化硅膜的过程具体为，向PECVD反应室内通入硅烷、氨气、和氮气，在280～350℃的温度下通过反应形成氮化硅膜，其中，硅烷、氨气、和氮气的气体流量比为100:1:200，所形成的氮化硅膜的厚度为40～80nm；

所述步骤1和步骤2中，对氮化硅膜表面进行离子束轰击处理的过程具体为，向离子束轰击反应器内通入氩气，形成氩等离子，在10^-4Torr的工作压力下由氩等离子构成的离子束按照与氮化硅膜表面为30～50°的角度对氮化硅膜表面进行轰击，其中，离子束轰击反应器内氩等离子的浓度为10¹⁴～10¹⁵离子/cm²。

2.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1还包括，在形成第一配向层(12)之前，在所述第一衬底基板(11)上形成黑色矩阵(13)，在所述第一衬底基板(11)和黑色矩阵(13)上形成彩色滤光膜(14)，在所述彩色滤光膜(14)上形成第一ITO电极层(15)，在所述第一ITO电极层(15)上形成隔垫物(16)；

所述步骤1中，第一配向层(12)形成于所述第一ITO电极层(15)上，所得到的上基板(10)包括第一衬底基板(11)、黑色矩阵(13)、彩色滤光膜(14)、第一ITO电极层(15)、隔垫物(16)、及第一配向层(12)。

3.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括，在形成第二配向层(22)之前，在所述第二衬底基板(21)上形成TFT阵列层(23)，在所述TFT阵列层(23)上形成钝化保护层(24)，在所述钝化保护层(24)上形成第二ITO电极层(25)；

所述步骤2中，所述第二配向层(22)形成于所述第二ITO电极层(25)上，所得到的下基板(20)包括第二衬底基板(21)、TFT阵列层(23)、钝化保护层(24)、第二ITO电极层(25)、及第二配向层(22)。

4.如权利要求1所述的液晶面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括，在形成第二配向层(22)之前，在所述第二衬底基板(21)上形成TFT阵列层(23)，在形成第二配向层(22)之后，在所述第二配向层(22)上形成图案化的第二ITO电极层(25’)；

所述步骤2中，所述第二配向层(22)形成于所述形成TFT阵列层(23)上，对所述TFT阵列层(23)进行保护，所得到的下基板(20)包括第二衬底基板(21)、TFT阵列层(23)、第二配向层(22)、及第二ITO电极层(25’)；

所述第二ITO电极层(25’)上具有间隙，所述步骤3得到的液晶面板中，所述第二配向层(22)通过所述第二ITO电极层(25’)上的间隙与所述液晶层(30)中的液晶分子(31)相接触。