[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201610316229.5 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105845755A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 闫丽;张闻斌;王琪;顾凯;陆军威 | 申请(专利权)人: | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 胡亚兰 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,具体公开了一种异质结太阳能电池,其包括晶体硅片,依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、及纳米银线薄膜,以及位于所述晶体硅片的另一侧的背电极。上述异质结太阳能电池,取消ITO层和栅线电极的设置,大大增加了太阳光的利用率,对异质结太阳能电池的光电转换效率的提升极为有利;并且还取消了ITO层的沉积工艺步骤和栅线电极的印刷工艺步骤,极大简化了异质结太阳能电池的制作工序,可大大降低生产成本。纳米银线薄膜具有良好的柔性,还可以应用于柔性异质结太阳能电池的研究。本发明还公开了一种异质结太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶体硅片;依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一本征层、及第一掺杂非晶硅层;直接位于所述第一掺杂非晶硅层上的纳米银线薄膜;以及位于所述晶体硅片的另一侧的背电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司,未经苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610316229.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的