[发明专利]一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法在审
申请号: | 201610315954.0 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN105779969A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 涂溶;汪婷;章嵩;可望;张联盟 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/46;C23C16/48 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法,将基板放置于沉积腔内的基板台上;打开真空泵,将沉积腔体内的压强降至最低值;对加热室和原料载流气管及喷嘴进行预热达到设定的温度后,将原料罐推至加热室;打开激光发生器,将激光引入沉积腔体内,对基板加热至沉积温度;打开阀门,使带有原料气的载流气和氧化气体通入到沉积腔体内,调节流量计使载流气和氧化气的流量分别达到相应的设定值,原料气在基板表面形成沉积钐钡铜氧薄膜。基板升温速度快,薄膜沉积速率极快,在薄膜厚度方向上无温度梯度,薄膜成分均一,厚度均匀,大大降低了能耗,非常节能,无杂相生成,超导性能良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 沉积 钐钡铜氧 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将基板放置于沉积腔内的基板台上;2)打开真空泵,将沉积腔体内的压强降至最低值;3)分别对加热室和原料载流气管及喷嘴进行预热至设定温度后,将装有原料的原料罐推至加热室,通入载流气将加热室中原料预热产生的废气排出;4)打开激光发生器,将激光引入沉积腔体内,加热基板至沉积温度;5)打开原料罐与沉积腔体之间的阀门及氧化气体与沉积腔体之间的阀门,使带有原料气的载流气和氧化气体通入到沉积腔体内;6)调节流量计使载流气和氧化气的流量分别达到相应的设定值;7)通过真空泵调节沉积腔体内的压强;8)原料气和氧化气发生化学反应,在基板表面形成沉积钐钡铜氧薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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