[发明专利]一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法

权利要求书

1.一种快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将基板放置于沉积腔内的基板台上；

2)打开真空泵，将沉积腔体内的压强降至最低值；

3)分别对加热室和原料载流气管及喷嘴进行预热至设定温度后，将装有原料的原料罐推 至加热室，通入载流气将加热室中原料预热产生的废气排出；

4)打开激光发生器，将激光引入沉积腔体内，加热基板至沉积温度；

5)打开原料罐与沉积腔体之间的阀门及氧化气体与沉积腔体之间的阀门，使带有原料气 的载流气和氧化气体通入到沉积腔体内；

6)调节流量计使载流气和氧化气的流量分别达到相应的设定值；

7)通过真空泵调节沉积腔体内的压强；

8)原料气和氧化气发生化学反应，在基板表面形成沉积钐钡铜氧薄膜。

2.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤1) 中，所述基板为(100)取向的铝酸镧、钛酸锶或氧化镁的单晶基板，单面抛光，使用前在乙醇 中对基板进行超声10～30min，清洁表面。

3.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3) 中，原料包括钐源、钡源和铜源，分别放置于不同的原料罐中。

4.根据权利要求3所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，钐源包括三 (2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钐，钡源包括双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡，铜源包括双 (2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜。

5.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3) 中，加热室的预热时间3～10min。

6.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3) 中，钐源、钡源和铜源所对应的加热室的预热设定温度分别为460～490K、580-620K和 350～370K。

7.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3) 中，原料载流气管及喷嘴的加热设定温度为520～570K。

8.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤4) 中，激光发生器为连续激光发生器，功率为0～200W，波长为808nm。

9.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤4) 中，所述连续激光发生器的加热光斑的均匀加热区域可覆盖整个基板。

10.根据权利要求1所述的快速沉积钐钡铜氧外延薄膜的方法，其特征在于，所述步骤6) 中，载流气的流量设定值为50～500sccm，氧化气体的流量设定值为50～500sccm。