[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610315530.4 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107369619B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张健;丁敬秀;张瑞朋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有前端器件，所述前端器件至少包括焊盘层；多次交替执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤，以在所述缓冲蚀刻步骤中保持所述焊盘层的尺寸稳定。在所述方法中为了解决焊盘层蚀刻速率过快的问题，对目前的工艺进行了改进，将目前工艺中BOE蚀刻分为多个蚀刻步骤，并且在每个BOE蚀刻步骤之后执行一次清水浸洗的步骤，即交替循坏的执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤至完全去除所述晶圆中的电荷。通过所述改变去除所述晶圆中的电荷之后，避免了所述焊盘层的电化蚀刻(galvanic etch)，使所述焊盘层具有足够大的尺寸，从而避免了封装过程中脱落问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有前端器件，所述前端器件至少包括焊盘层；多次交替执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤，以在所述缓冲蚀刻步骤中保持所述焊盘层的尺寸稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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