[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

说明书

本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有前端器件，所述前端器件至少包括焊盘层；多次交替执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤，以在所述缓冲蚀刻步骤中保持所述焊盘层的尺寸稳定。在所述方法中为了解决焊盘层蚀刻速率过快的问题，对目前的工艺进行了改进，将目前工艺中BOE蚀刻分为多个蚀刻步骤，并且在每个BOE蚀刻步骤之后执行一次清水浸洗的步骤，即交替循坏的执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤至完全去除所述晶圆中的电荷。通过所述改变去除所述晶圆中的电荷之后，避免了所述焊盘层的电化蚀刻(galvanic etch)，使所述焊盘层具有足够大的尺寸，从而避免了封装过程中脱落问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。

在MEMS麦克风中通常形成有金属焊盘，用于电连接或后续的封装，在MEMS麦克风制备工艺中需要执行BOE蚀刻工艺，但是在蚀刻工艺中所述金属焊盘会被过蚀刻，所述金属焊盘的尺寸大幅度的减小，造成焊盘层的脱落，从而使MEMS器件不能实现封装，器件的性能和良率大幅度的下降。

因此，有必要提出一种新的半导体器件及制备方法，以解决现有的技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供晶圆，在所述晶圆上形成有前端器件，所述前端器件至少包括焊盘层；

多次交替执行缓冲蚀刻步骤和清洗步骤，以在所述缓冲蚀刻步骤中保持所述焊盘层的尺寸稳定。

可选地，所述缓冲蚀刻步骤的时间在300s以内。

可选地，所述清洗步骤的时间在300s以内。

可选地，交替执行所述缓冲蚀刻步骤和所述清洗步骤32次以上。

可选地，所述缓冲蚀刻步骤的蚀刻液包括缓冲蚀刻液，所述清洗步骤的清洗液包括去离子水。

可选地，在交替执行所述缓冲蚀刻步骤和所述清洗步骤之前单独执行在水中浸洗的步骤。

可选地，所述方法还进一步包括执行去离子水清洗的步骤。

可选地，在所述去离子水清洗步骤之后还进一步执行包括对所述晶圆干燥的步骤。

可选地，所述去离子水清洗步骤的时间在600s以上，所述晶圆干燥的时间在5800s以上。

本发明还提供了一种半导体器件，所述半导体器件通过上述方法制备得到。

本发明还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述的半导体器件。