[发明专利]具有垂直浮动环的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610313096.6 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106169503B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 高梓浩;大卫·C·比尔多克思 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括具有第一导电类型的半导体基板。栅极结构由所述半导体基板的表面支撑，且电流携载区(例如，LDMOS晶体管的漏极区)设置在所述半导体基板中在所述表面处。所述装置进一步包括设置在所述半导体基板中在所述表面处的第二相反导电类型的漂移区。所述漂移区从所述电流携载区横向延伸到所述栅极结构。所述装置进一步包括设置在所述半导体基板中在所述电流携载区下方的所述第二导电类型的埋区。所述埋区与所述电流携载区垂直对准，且具有所述第一导电类型的所述半导体基板的一部分存在于所述埋区与所述电流携载区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 浮动 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有第一导电类型、第一表面和相对的第二表面；栅极结构，其由所述半导体基板的所述第一表面支撑；第一载流区，其设置在所述半导体基板中在所述第一表面处，其中所述第一载流区与所述栅极结构横向分隔开；第二导电类型的漂移区，其设置在所述半导体基板中在所述第一表面处，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，且所述漂移区从所述第一载流区横向延伸到所述栅极结构；以及所述第二导电类型的第一埋区，其设置在所述半导体基板中在所述第一载流区下方，其中所述第一埋区与所述第一载流区垂直对齐，且具有所述第一导电类型的所述半导体基板的第一部分存在于所述第一埋区与所述第一载流区之间。
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