[发明专利]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201610312544.0 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107369602B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李兴存 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括上电极装置和下电极装置，该下电极装置设置在反应腔室内，用于承载晶片。上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源、上电极板、第一选择开关和第二选择开关，其中，介质筒设置在反应腔室的顶部；线圈围绕介质筒设置；上电极板位于下电极装置的上方；第一选择开关用于选择性地使上功率电源与所述线圈的一端电连接，或者使上功率电源与上电极板电连接；第二选择开关用于选择性地使线圈的另一端接地，或者使线圈的另一端与上电极板电连接。本发明提供的反应腔室，其可以可选择地使用不同的等离子体源产生等离子体，从而可以扩大等离子体源的放电窗口和使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括上电极装置和下电极装置，所述下电极装置设置在所述反应腔室内，用于承载晶片，其特征在于，所述上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源、上电极板、第一选择开关和第二选择开关，其中，所述介质筒设置在所述反应腔室的顶部；所述线圈围绕所述介质筒设置；所述上电极板位于所述下电极装置的上方；所述第一选择开关用于选择性地使所述上功率电源与所述线圈的一端电连接，或者使所述上功率电源与所述上电极板电连接；所述第二选择开关用于选择性地使所述线圈的另一端接地，或者使所述线圈的另一端与所述上电极板电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610312544.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
