[发明专利]一次编程非挥发性存储胞有效
申请号: | 201610309728.1 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN106340517B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 郭秉郁;陈冠勋;林俊宏 | 申请(专利权)人: | 力旺电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;H01L29/423 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一次编程非挥发性存储胞,包括一具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管、一隔离晶体管与一选择晶体管。第一浮动栅晶体管的第一端连接至该第二控制线。第一浮动栅晶体管的浮动栅极为浮接。隔离晶体管的第一端连接至第一浮动栅晶体管的第二端。隔离晶体管的隔离栅极连接至隔离线。选择晶体管的第一端连接至隔离晶体管的第二端。选择晶体管的第二端连接至第一控制线。选择晶体管的选择栅极连接至字符线。 | ||
搜索关键词: | 一次 编程 挥发性 存储 | ||
【主权项】:
1.一种一次编程非挥发性存储胞,连接于一第一控制线与一第二控制线之间,包括:具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管,具有一第一端连接至该第二控制线,具有浮接的一浮动栅极;隔离晶体管,具有一第一端连接至该第一浮动栅晶体管的一第二端,具有一隔离栅极连接至一隔离线;以及选择晶体管,具有一第一端连接至该隔离晶体管的一第二端,具有一第二端连接至该第一控制线,具有一选择栅极连接至一字符线;其中,该第一浮动栅晶体管的一栅极氧化层的厚度大于该隔离晶体管的一栅极氧化层的厚度;该第一浮动栅晶体管的该栅极氧化层的厚度大于该选择晶体管的一栅极氧化层的厚度;该第一浮动栅晶体管是利用一中电压元件制作工艺所制造;以及,该选择晶体管与该隔离晶体管是利用一低电压元件制作工艺所制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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