[发明专利]一种氮化物发光二极管的外延结构有效
| 申请号： | 201610305529.3 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105932128B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;钟志白;杨焕荣;李志明;杜伟华;邓和清;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，通过在多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V‑pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。通过钝化层/DBR/Al量子点复合结构的多重垒加效应，提升量子阱的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管的外延结构，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，P型氮化物，P型接触层以及DBR，其特征在于：多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V‑pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。
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