[发明专利]一种氮化物发光二极管的外延结构

权利要求书

1.一种氮化物发光二极管的外延结构，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，P型氮化物，P型接触层以及DBR，其特征在于：多量子阱发光区的V-pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V-pits，降低V-pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V-pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。

2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述复合结构中的钝化层用于阻挡电子和空穴扩散至V-pits，降低V-pits中缺陷的非辐射复合。

3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述复合结构中的DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V-pits中的位错及缺陷吸收。

4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述复合结构中的Al量子点形成光反射和表面等离激元，用于引导光波导方向。

5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述钝化层为氮化硅或氮化铝或氮化硼或二氧化硅或前述组合。

6.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述复合结构中的钝化层厚度为1~100nm，DBR厚度为1~100nm，Al量子点大小为1~100nm。

7.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述钝化层为非掺杂材料，背景载流子浓度为1E15~1E17cm^-3。

8.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述V-pits大小为50~500nm，密度为1E7~1E10cm^-2。

9.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管的外延结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石或碳化硅或硅或氮化镓或氮化铝或氧化锌或前述组合。