[发明专利]超结功率器件的制备方法及超结功率器件有效
| 申请号： | 201610304810.5 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107359120B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结功率器件的制备方法和一种超结功率器件，其中，所述制备方法包括：在制备有衬底结构的第一外延层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀处理；对所述第一外延层进行浅槽刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第一沟槽；对所述第一沟槽进行表面氧化处理形成氧化层，并对所述氧化层的底部进行刻蚀处理；对所述第一外延层进行深槽刻蚀处理，并去除剩余的所述掩膜层和所述氧化层，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以用于完成所述超结功率器件的制备。该技术方案，可以在最大限度增加金属层与体区的接触面积的同时，确保超结功率器件的耐压性能，提高产品良率，同时降低器件工艺上的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超结功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在制备有衬底结构的第一外延层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀处理；对所述第一外延层进行浅槽刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第一沟槽；对所述第一沟槽进行表面氧化处理形成氧化层，并对所述氧化层的底部进行刻蚀处理；对所述第一外延层进行深槽刻蚀处理，并去除剩余的所述掩膜层和所述氧化层，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以用于完成所述超结功率器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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