[发明专利]超结功率器件的制备方法及超结功率器件有效
| 申请号： | 201610304810.5 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107359120B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种超结功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
在制备有衬底结构的第一外延层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行刻蚀处理；
对所述第一外延层进行浅槽刻蚀处理，以形成与所述第一外延层接触的第一沟槽；
对所述第一沟槽进行表面氧化处理形成氧化层，并对所述氧化层的底部进行刻蚀处理；
对所述第一外延层进行深槽刻蚀处理，并去除剩余的所述掩膜层和所述氧化层，以形成第二沟槽；
在所述第二沟槽中填充第二外延层，形成超结结构，以用于完成所述超结功率器件的制备；
对所述第二外延层进行热扩散处理，以形成器件体区；
在所述器件体区内填充形成金属层沟槽。
2.根据权利要求1所述的超结功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述器件体区之后，还包括：
在形成有所述器件体区的所述超结结构上依次生长栅极、源极、介质层；
对所述栅极和所述介质层进行刻蚀处理，以形成第三沟槽；
根据所述第三沟槽对所述器件体区进行刻蚀处理，以形成接触孔。
3.根据权利要求2所述的超结功率器件的制备方法，其特征在于，在形成所述接触孔之后，还包括：
在所述接触孔内填充金属，并在所述介质层上生长一层金属层，以形成金属接触，完成所述超结功率器件的制备。
4.根据权利要求2或3所述的超结功率器件的制备方法，其特征在于，
所述热扩散处理的温度处于950℃至1050℃之间；
所述热扩散处理的时间处于90分钟至120分钟之间。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的超结功率器件的制备方法，其特征在于，对所述掩膜层完成刻蚀处理，具体包括：
在所述掩膜层上形成光刻层；
根据所述光刻层对所述掩膜层进行刻蚀处理。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的超结功率器件的制备方法，其特征在于，在所述在制备有衬底结构的第一外延层上形成掩膜层之前，还包括：
在衬底上形成所述第一外延层，以形成所述衬底结构。
7.一种超结功率器件，其特征在于，采用如权利要求1至6中任一项所述的超结功率器件的制备方法制备而成。
8.根据权利要求7所述的超结功率器件，其特征在于，
所述第一沟槽的深度处于3微米至5微米之间；
所述氧化层的厚度处于2000埃至10000埃之间。
9.根据权利要求7所述的超结功率器件，其特征在于，
当所述掩膜层为介质材料层时，所述掩膜层的厚度处于1微米至10微米之间；
当所述掩膜层为金属材料层时，所述掩膜层的厚度小于或等于5微米。
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