[发明专利]用于制造光电子器件的方法和这样制造的器件

摘要

说明了一种用于制造光电子器件的方法。提供半导体芯片，其具有适于产生辐射的有源层并且被布置在载体上。将弥散材料至少局部地施加在半导体芯片上和/或载体上。该弥散材料包含基质材料和嵌入基质材料中的颗粒。在施加弥散材料之前对半导体芯片的背离载体的芯片边缘进行改性，使得弥散材料在施加在芯片边缘处时至少部分地被分离为该弥散材料的组成部分。芯片边缘的改性通过对半导体芯片的背离载体的上侧的结构化来实现，并且该结构化通过在上侧处的突起来形成。颗粒具有平均直径，该平均直径最多为突起的平均高度的两倍，以及芯片边缘将基质材料与颗粒分离，使得在由弥散材料制成的芯片上侧上仅布置基质材料。此外还说明了一种这样制造的器件。

主权项

1.用于制造光电子器件（10）的方法，具有下面的方法步骤（V1，V2，V3）：－提供半导体芯片（2），其具有适于产生辐射的有源层并且被布置在载体（1）上，－将弥散材料（3）至少局部地施加在半导体芯片（2）上和/或载体（1）上，该弥散材料包含基质材料（31）和嵌入基质材料中的颗粒（32），其中在施加弥散材料（3）之前通过对半导体芯片（2）的横向于半导体芯片（2）的上侧（21）而定向的侧面进行结构化来对半导体芯片（2）的至少一个芯片边缘（22）进行改性，使得弥散材料（3）在施加在芯片边缘（22）处时至少部分地被分离为该弥散材料的组成部分，其中芯片边缘（22）的改性通过对半导体芯片（2）的背离所述载体（1）的上侧（21）的结构化来实现，并且该结构化通过在所述上侧（21）处的突起来形成，其中所述颗粒（32）具有平均直径，该平均直径最多为所述突起的平均高度的两倍，以及其中所述芯片边缘（22）将基质材料（31）与颗粒（32）分离，使得在芯片上侧（21）上仅布置基质材料（31）。