[发明专利]焊料金属化堆叠以及其形成方法有效
| 申请号： | 201610302813.5 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106206518B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | K·卡洛维斯基;M·埃曼;M·哈里森;E·纳佩特施尼格;A·富加特斯乔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及焊料金属化堆叠以及其形成方法。提供了一种半导体器件，包括：设置在基板的半导体表面之上的接触金属层；设置在接触金属层之上的扩散阻挡结构层；设置在扩散阻挡结构层之上的惰性层；以及设置在惰性层之上的焊料层。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料 金属化 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在半导体基板的第一半导体表面处的有源电路装置和器件，所述半导体基板具有第一侧和相对的第二侧，所述第一侧具有所述第一半导体表面，所述第二侧具有第二半导体表面；设置在所述半导体基板的所述第二半导体表面之下的接触金属层，所述第二半导体表面与所述第一半导体表面相对，所述接触金属层覆盖所述半导体基板的所述第二半导体表面的全部，所述接触金属层被设置在所述半导体基板的所述第二侧处；设置在所述第二侧处、在所述接触金属层之下的扩散阻挡结构层；设置在所述第二侧处、在所述扩散阻挡结构层之下的惰性层，其中所述惰性层包括与所述扩散阻挡结构层不同的材料；以及设置在所述第二侧处、在所述惰性层之下的焊料层，其中所述惰性层包括与所述焊料层不同的材料。
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