[发明专利]一种GaAs基发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610291711.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105914265B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郑元宇;郑建森;伍明跃;周启伦;邱财华;罗宵;林峰;李水清;吴超瑜;蔡坤煌 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种GaAs基发光二极管及其制作方法，依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和GaP电流扩展层，其特征在于：所述过渡层包括组分渐变层、低温低速GaP层和界面处理层，所述GaP电流扩展层采用先高温后低温生长方式。过渡层能有效地将位错线压制在界面处；高温GaP电流扩展层，与界面处理层相接，能更进一步地把延伸到界面层上的位错线压制在该高温GaP电流扩展层中，为后续高质量GaP电流扩展层生长提供良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基发光二极管，依次包括衬底，DBR反射层，N型半导体层，量子阱发光层，P型半导体层，过渡层和GaP电流扩展层，其特征在于：所述过渡层包括组分渐变层、低温低速GaP层和界面处理层，所述GaP电流扩展层包括依次形成高温GaP电流扩展层和低温GaP电流扩展层，其中低温低速GaP 层形成后，采用PH3进行界面处理，形成界面处理层。
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