[发明专利]一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610289591.8 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105810819B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 江潮;刘天俊;王嘉玮;李默林 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯潇潇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管及其制备方法和应用，所述场效应晶体管为在硅基底上具有介电修饰材料层，在该介电修饰材料层上具有螺旋生长的有机分子薄膜层，在该有机分子薄膜层上蒸镀金作为源电极和漏电极。本发明的有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管对载流子迁移率比非螺旋生长的有机分子薄膜晶体管的迁移率明显提高，具有良好的电荷传输性能，在光电器件领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 分子 螺旋 生长 薄膜 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种有机分子螺旋生长薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管为在硅基底上具有介电修饰材料层，在该介电修饰材料层上具有螺旋生长的有机分子薄膜层，在该有机分子薄膜层上蒸镀金作为源电极和漏电极，所述有机分子为3,6‑二甲基‑2,7‑二苯基‑8a,10a‑2,7‑二氢异苯并吡喃‑[7,8,1‑def]苯并吡喃，其结构如下所示：![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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