[发明专利]一种用于半导体制程的化学退镀液及其制备方法在审
| 申请号： | 201610286324.5 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105821411A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胡青华 | 申请（专利权）人： | 昆山艾森半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;C23F1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于退镀液技术领域，涉及一种用于半导体制程的化学退镀液及其制备方法，其中用于半导体制程的化学退镀液的组分和重量百分比为：硝酸10‑17％、硝酸铁5‑15％、甲基磺酸5‑20％、缓蚀剂1‑5％，其余为去离子水。本发明的化学退镀液对锡有良好的腐蚀效果而对基材不会有很大的破坏，硝酸浓度低，不产生黄烟，对环境比较友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 化学 退镀液 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体制程的化学退镀液，其特征在于：包括硝酸、硝酸铁、甲基磺酸、缓蚀剂以及去离子水，其各组分质量百分比为：硝酸10‑17％、硝酸铁5‑15％、甲基磺酸5‑20％、缓蚀剂1‑5％，其余为去离子水。
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