[发明专利]对准装置及其方法有效
| 申请号： | 201610285723.X | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331643B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 杜荣;于大维 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对准装置及其方法，所述对准装置包括：光源、照明组件、光转向组件、成像组件及探测器；所述光源发出的光束经过所述照明组件之后被所述光转向组件分为第一光束与第二光束，第一光束射入至上硅片，第二光束入射至下硅片，被上硅片与下硅片反射之后分别经过光转向组件及成像组件，将上硅片与下硅片上的对准标记成像于所述探测器上，通过移动下硅片使得两个对准标记在探测器上所成像相对称，达到对准上硅片与下硅片的目的，降低了对准成本，提高了效率，并消除了探测器热漂移引起的测量误差，方便校准并降低了校准的频率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种对准装置，用于上硅片与下硅片的对准，所述上硅片与下硅片上均设置有对准标记，其特征在于，包括：光源、照明组件、光转向组件、成像组件及探测器；所述光源发出的光束经过所述照明组件之后被所述光转向组件分为第一光束与第二光束，所述第一光束入射至所述上硅片，被所述上硅片反射之后经过所述光转向组件及成像组件，将所述上硅片上的对准标记成像于所述探测器上；所述第二光束入射至所述下硅片，被所述下硅片反射之后经过所述光转向组件及成像组件，将所述下硅片上的对准标记成像于所述探测器上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
