[发明专利]对准装置及其方法有效
申请号: | 201610285723.X | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN107331643B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 杜荣;于大维 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 装置 及其 方法 | ||
1.一种对准装置,用于上硅片与下硅片的对准,所述上硅片与下硅片上均设置有对准标记,其特征在于,包括:光源、照明组件、光转向组件、成像组件及探测器;所述光转向组件包括分光棱镜、反射镜、第一快门、第二快门以及转向棱镜,所述光源发出的光束经过所述照明组件之后被所述光转向组件中的分光棱镜分为第一光束与第二光束,所述第一光束经过所述反射镜、第一快门以及转向棱镜入射至所述上硅片,被所述上硅片反射之后经过所述转向棱镜、第一快门、反射镜以及分光棱镜入射至所述成像组件,将所述上硅片上的对准标记成像于所述探测器上;所述第二光束经过所述第二快门与转向棱镜入射至所述下硅片,被所述下硅片反射之后经过所述转向棱镜、第二快门以及分光棱镜入射至所述成像组件,将所述下硅片上的对准标记成像于所述探测器上。
2.如权利要求1所述的对准装置,其特征在于,所述上硅片与下硅片上的对准标记的形状相同。
3.如权利要求1所述的对准装置,其特征在于,所述照明组件包括第一照明镜、第一光阑及第二照明镜。
4.如权利要求1所述的对准装置,其特征在于,所述成像组件包括第一成像镜、第二光阑及第二成像镜。
5.如权利要求1~4中任一项所述的对准装置,其特征在于,所述探测器为CCD图像传感器。
6.一种对准方法,其特征在于,包括:
步骤S1:打开光源开关,所述光源发出的光束经过照明组件之后被光转向组件中的分光棱镜分为第一光束与第二光束;
步骤S2:打开第一快门,所述第一光束经过反射镜、第一快门以及转向棱镜入射至上硅片,被所述上硅片反射之后经过所述转向棱镜、第一快门、反射镜以及分光棱镜入射至成像组件,将所述上硅片上的对准标记成像于探测器上;
步骤S3:打开第二快门,所述第二光束经过第二快门与转向棱镜入射至下硅片,被所述下硅片反射之后经过所述转向棱镜、第二快门以及分光棱镜入射至所述成像组件,将所述下硅片上的对准标记成像于所述探测器上;
步骤S4:移动所述下硅片,使得所述上硅片与下硅片上的对准标记在所述探测器上所成的像相对称。
7.如权利要求6所述的对准方法,其特征在于,在步骤S4中,所述上硅片与下硅片上的对准标记在所述探测器上所成的像完全重合。
8.如权利要求6所述的对准方法,其特征在于,在步骤S1中,所述光源发出的光束在所述照明组件中分别经过第一照明镜、第一光阑及第二照明镜。
9.如权利要求6所述的对准方法,其特征在于,所述第一光束与第二光束在成像组件中分别经过第一成像镜、第二光阑及第二成像镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造