[发明专利]一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法在审
| 申请号： | 201610283967.4 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331612A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法，包括如下步骤(1)提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；(2)在衬底上依次形成钽膜层和硅化合物膜层；(3)图形化转移磁性隧道结图案到硅化合物膜层，使用光刻胶和有机抗反射层完成对磁性隧道结图案的图形化定义；(4)采用CF4干刻蚀硅化合物膜层；(5)采用Cl2/Ar混合气体或者CH4/Ar混合气体干刻蚀钽膜层；(6)除去残留的光刻胶和有机抗反射层。本发明中，钽对硅化合物的选择比高达5以上，是现有技术的10倍，有效改善了钽膜层刻蚀过后的图案和轮廓，消除了钽膜层在磁性隧道结刻蚀之前的消耗，降低了磁性随机存储器电路位线和磁性隧道结单元短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 磁性 随机 存储器 反应 离子束 刻蚀 硬掩膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制作磁性随机存储器反应离子束刻蚀硬掩膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；(2)在所述衬底上依次形成钽膜层和硅化合物膜层；(3)图形化转移磁性隧道结图案到所述硅化合物膜层，使用光刻胶和有机抗反射层完成对所述磁性隧道结图案的图形化定义；(4)采用CF4干刻蚀所述硅化合物膜层；(5)采用Cl2/Ar混合气体或者CH4/Ar混合气体干刻蚀所述钽膜层；(6)除去残留的所述光刻胶和所述有机抗反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610283967.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
