[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201610276668.8 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742438B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;钟志白;杨焕荣;杜伟华;廖树涛;李智杰;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，n型掺杂沟道区域，局域无掺杂区域，V‑pits的局域电子阻挡层，P型氮化物，以及P型接触层，其特征在于所述多量子阱区域的V‑pits两侧具有局域无掺杂区域，阻止电子和空穴泄漏至V‑pits；同时，V‑pits与V‑pits之间形成量子级别的n型掺杂沟道区域，使电子和空穴局限在此区域进行跃迁和复合，提升载流子的复合效率以及电流的横向及纵向扩展，提升发光强度和改善ESD；V‑pits两侧局域无掺杂区域的上方生长纳米尺度的局域电子阻挡层，进一步阻挡热电子和空穴泄漏至V‑pits，降低非辐射复合，提升发光强度和改善漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，n型掺杂沟道区域，局域无掺杂区域，V‑pits的局域电子阻挡层，P型氮化物，以及 P型接触层，其特征在于：所述多量子阱区域的V‑pits两侧具有局域无掺杂区域，V‑pits两侧局域无掺杂区域上方生长纳米尺度的局域电子阻挡层，通过定位掺杂使V‑pits和V‑pits之间形成量子级别的n型掺杂沟道区域，阻止电子和空穴泄漏至V‑pits，降低非辐射复合。
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