[发明专利]一种氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201610276668.8 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742438B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;钟志白;杨焕荣;杜伟华;廖树涛;李智杰;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 | ||
1.一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，n型掺杂沟道区域，局域无掺杂区域，V-pits的局域电子阻挡层，P型氮化物，以及 P型接触层，其特征在于：所述多量子阱区域的V-pits两侧具有局域无掺杂区域，V-pits两侧局域无掺杂区域上方生长纳米尺度的局域电子阻挡层，通过定位掺杂使V-pits和V-pits之间形成量子级别的n型掺杂沟道区域，阻止电子和空穴泄漏至V-pits，降低非辐射复合。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述n型掺杂沟道区域通过定位掺杂形成于V-pits与V-pits之间，使得电子和空穴局限在此区域进行跃迁和复合，提升载流子的复合效率并改善电流的横向及纵向扩展，提升发光强度和改善ESD。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述V-pits两侧局域无掺杂区域的上方生长纳米尺度的局域电子阻挡层，用于阻挡热电子和空穴泄漏至V-pits，进一步降低非辐射复合，提升发光强度，并改善漏电。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述n型沟道区域的大小为50nm~1000nm，掺杂浓度为1E17~1E20cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述局域无掺杂区域的大小为50nm~1000nm，背景载流子浓度为1E15~1E17cm-3。
6.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述多量子阱区域的V-pits的大小为50~500 nm。
7.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述局域电子阻挡层的材料为AlxGa1-xN，其中0≤x≤1，尺寸大小为50~500nm。
8.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌适合外延生长的衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610276668.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
