[发明专利]一种发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610260973.8 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105702817B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林忠宝;程虎;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制备方法，包括提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；在所述衬底表面依次生长缓冲层、N型半导体层；在所述N型半导体层表面生长量子阱层，所述发光层的生长包括：缺陷层、修复层和发光层的生长。在所述量子阱层表面生长第一P型半导体层、电子阻挡层和第二P型半导体层；本发明在改善量子阱质量的前提下增加In组分，同时采用高压低掺的第一P型层结构，极大的提高了发光二极管的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；在所述衬底表面依次生长缓冲层、N型半导体层、量子阱层、第一P型半导体层、电子阻挡层和第二P型半导体层；其特征在于：所述量子阱层的生长步骤具体为，首先调节反应腔室温度至第一温度T1，生长由In/Ga含量比为C1的InGaN阱层和GaN垒层循环层叠形成的缺陷层；随后调节反应腔室温度至第二温度T2，生长由In/Ga含量比为C2的InGaN阱层与GaN垒层循环层叠形成的修复层；其中，C2＜C1；T2＞T1；最后调节反应腔室温度至第三温度T3，生长由In/Ga含量比为C3的InGaN阱层与GaN垒层循环层叠形成的发光层；所述量子阱层生长结束后，采用高压条件生长第一P型掺杂层，所述生长压力为350～500mbar，所述第一P型层为低浓度掺杂层，掺杂浓度为1×1017cm‑3～3×1017 cm‑3。
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