[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610235876.3 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106653083B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李映勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括：多个存储器单元，每个存储器单元被编程为具有基于其阈值电压划分的多个编程状态之中的任意一个编程状态；以及外围电路，其用于对多个存储器单元执行主编程操作，以及用于对在执行主编程操作时关于主编程操作的阈值电压改变的至少一个存储器单元执行额外的编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作存储器件的方法，所述方法包括：对多个存储器单元执行主编程操作，以便将多个存储器单元编程为与一个或多个阈值电压相对应的一个或多个编程状态；以及对具有在主编程操作期间改变的阈值电压的至少一个存储器单元执行额外的编程操作。
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