[发明专利]半导体晶圆及其制造方法有效
| 申请号： | 201610217204.X | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106252388B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 潘盼;杨康;李海滨;张少华;许建华 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 张玲 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体晶圆及其制造方法。所述半导体晶圆包括多个间隔设置的芯片，以及间隔设置在相邻两个芯片之间的划片道。其中，每个所述芯片包括形成于晶圆片一表面上的半导体器件、位于晶圆片另一表面的背面金属、以及至少一个贯穿所述晶圆片并连接半导体器件的金属部分与所述背面金属的通孔。所述通孔与所述划片道在同一刻蚀工艺中形成。本发明实施例可以减小半导体晶圆的碎片率，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆，其特征在于，所述半导体晶圆包括：多个间隔设置的芯片；以及间隔设置在相邻两个芯片之间的划片道，其中：每个所述芯片包括形成于晶圆片一表面上的半导体器件、位于晶圆片另一表面的背面金属、以及至少一个贯穿所述晶圆片并连接半导体器件的金属部分与所述背面金属的通孔；其中，所述通孔与所述划片道在同一刻蚀工艺中形成；其中，任意相邻的两个芯片之间设置一个划片道，每个划片道包括第一部分以及连接在第一部分相对两端的第二部分，第一部分的宽度大于第二部分的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司，未经苏州能讯高能半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610217204.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体组件
- 下一篇：用于光收发器件抗干扰的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
