[发明专利]一种制造过程中预测半导体装置的电气参数的方法及系统在审
| 申请号： | 201610216851.9 | 申请日： | 2016-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN105895563A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨荣 | 申请（专利权）人： | 天津中仪博通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置(200)的电气参数的方法。提供与该半导体装置(200)相关的初始特性值的向量(124)，用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)。根据该更新向量(124，126)模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性。一种包括数据存储器(90)以及预测单元(130)的系统(10)。数据存储器(90)配置用来储存在半导体装置(200)的制造期间所收集的半导体装置(200)的特性。预测单元(130)配置用来提供关于半导体装置(200)的初始特性值的向量(124)、以收集的特性的至少一个子集更新向量(124，126)，以及根据更新向量(124，126)模型化半导体装置(200)的至少一电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 过程 预测 半导体 装置 电气 参数 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置的电气参数的方法，包括：储存在半导体装置制造期间所收集的与该半导体装置(200)的制程相关的各特性值；提供与该半导体装置(200)相关的各初始特性值的向量(124)；用所收集的各特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)；及根据该更新的向量(124，126)，模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中仪博通科技有限公司，未经天津中仪博通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610216851.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
