[发明专利]半导体光调制器以及光模块有效
| 申请号： | 201610214794.0 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106054411B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 秋山浩一;柳生荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光调制器以及光模块，其目的在于提供一种能够使α参数接近0的技术。多量子阱构造(11)具备包括第1阻挡层(11a)、中间层(11b)、阱层(11c)以及第2阻挡层(11d)的层构造(11s)。第1阻挡层以及第2阻挡层(11a、11d)的导带能量、中间层(11b)的导带能量、阱层(11c)的导带能量按照该顺序变大，中间层(11b)的价带能量、阱层(11c)的价带能量、第1阻挡层以及第2阻挡层(11a、11d)的价带能量按照该顺序变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 以及 模块 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光调制器，其特征在于，具备：半导体基板；以及半导体多层构造，包含于形成于所述半导体基板上并且光的相位根据电压而变化的光波导中，所述半导体多层构造具备：P型包层以及N型包层；以及多量子阱构造，夹在所述P型包层与所述N型包层之间，所述多量子阱构造具备层构造，该层构造包括：第1阻挡层，具有第1带隙；中间层，与所述第1阻挡层的所述N型包层侧的部分连接，具有比所述第1带隙小的第2带隙；阱层，与所述中间层的所述N型包层侧的部分连接，具有比所述第2带隙小的第3带隙；以及第2阻挡层，与所述阱层的所述N型包层侧的部分连接，具有所述第1带隙，所述第1阻挡层以及第2阻挡层的导带能量比所述中间层的导带能量大，所述中间层的导带能量比所述阱层的导带能量大，所述中间层的价带能量比所述阱层的价带能量大，所述阱层的价带能量比所述第1阻挡层以及第2阻挡层的价带能量大，所述中间层和所述阱层之间的导带的能量差大于所述中间层和所述阱层之间的价带的能量差，以使得即使没有将电压施加到所述光波导也使导带的施加电场大于价带的施加电场。
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