[发明专利]减少外延衬底缺陷的形成方法有效

专利信息
申请号: 201610205601.5 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN107293475B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 肖德元 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 金华
地址: 201306 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种减少外延衬底缺陷的形成方法,先对原始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理,去除原始外延衬底较多的刮伤和缺陷,接着,进行抛光处理,接着,通过检测收集原始外延衬底表面形貌数据,并对形貌数据进行分析,获得原始外延衬底不同区域的待刻蚀量,并通过待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数,有针对性的刻蚀去除原始外延衬底不同区域的待刻蚀量,从而去除原始外延衬底表面的缺陷及刮伤,形成表面平滑的外延衬底,进而使后续形成的外延层性能得到提高。
搜索关键词: 减少 外延 衬底 缺陷 形成 方法
【主权项】:
一种减少外延衬底缺陷的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供原始外延衬底;对所述初始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理;对所述原始外延衬底进行抛光处理;检测所述原始外延衬底表面形貌,并保存形貌数据;对所述形貌数据进行分析,获得所述原始外延衬底不同区域的待刻蚀量,并通过所述待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数;根据不同区域的所需工艺参数进行原始外延衬底不同区域的刻蚀,使所述原始外延衬底表面更加平滑;对所述原始外延衬底进行单面抛光,获得最终的外延衬底。
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