[发明专利]一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法有效
申请号: | 201610204043.0 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105870097B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 金迎春;黄立;周文洪;刘斌;姚柏文;戴俊碧;骆鲁斌;龚健 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/16;H01L21/60 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿军;张瑾 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法,所述探测器包括相互连接的碲镉汞外延片和读出电路,所述读出电路和碲镉汞外延片表面制备有倒装焊结构,其中,碲镉汞外延片表面还覆盖有一层保护材料,保护材料可以选取填充胶或ZnS等,将碲镉汞外延片覆盖同时有露出了碲镉汞外延片表面上的倒装焊结构,读出电路和碲镉汞外延片通过倒装焊结构连接。通过平坦化解决碲镉汞外延片表面不平整性问题,提高了倒装焊良率,同时避免了倒装焊时不平导致的材料应力。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 红外 平面 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高像素红外平面探测器,其特征在于,包括碲镉汞外延片和读出电路,所述碲镉汞外延片正面和读出电路表面设有倒装焊结构,所述碲镉汞外延片和读出电路通过倒装焊连接;所述碲镉汞外延片的正面不平坦;所述碲镉汞外延片表面还覆盖有一层保护材料,所述碲镉汞外延片上每个像元处的倒装焊结构透过保护材料裸露出来;碲镉汞外延片正面平坦化之前,所述保护材料的厚度不低于倒装焊结构的高度;碲镉汞外延片正面平坦化之后,所述保护材料的表面与所述倒装焊结构的表面齐平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉高芯科技有限公司,未经武汉高芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610204043.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。